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QD75D1 三菱QD75D1
品牌: 三菱
名称: 差动输出定位模块
型号: QD75D1
1轴,差分驱动器输出型。
控制单位:mm、英寸、度、脉冲。
定位数据数:600个数据/轴。
大脉冲输出:1Mpps。
40针连接器。
定位模块。
开路集电极输出型。
差分驱动器输出型。
根据用途分为开路集电极输出型和差分驱动器输出型 2 种类型。
差分驱动器输出型定位模块可将高速指令脉冲 ( 高 4Mpps) 可靠地传输至伺服放大器,
传输距离可达 10 米,实现高速的控制。
(开路集电极型定位模块的指令脉冲高为200kpps。)
也可满足高速、控制需求。
适合用于要求高速转换控制领域的模拟量模块。
可提供多种模数和数模转换模块产品。
这些模块功能多样,在连接设备时,实现了大的灵活性。
可满足变频器控制等高速转换需求。
具有卓越性能的各种模块,
满足从模拟量到定位的各种控制需求。
Q系列模块产品包括种类丰富的各种I/O、模拟量和定位功能模块。
可地满足开关、传感器等的输入输出,温度、重量、流量和电机、驱动器的控制,
以及要求控制的定位等各行业、各领域的控制需求。
还可与CPU模块组合使用,实现恰如其分的控制。
以智能功能拓展控制的可能性。
提供各种模拟量模块,是应用于过程控制应用的理想选择。

手动肪冲发生器/INC同步编码器输入:
可使用台数:3台/1个模块。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取,
在编程时需要考虑各区域的边界三菱QD75D1。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡,
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器,
容量多可达4736K字,从而简化了编程QD75D1
因此,即使软元件存储器空间不足,
也可通过安装扩展SRAM卡,方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位,从而使编程也可越了传统的32K字,
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域三菱QD75D1。
另外,变址修饰的处理速度对结构化数据(阵列)的运算起着重要作用,
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序(例如从FOR到NEXT的指令等)中时,可缩短扫描时间。程序容量:28 K步。
输入输出点数:4096点。
输入输出元件数:8192点。
处理速度:0.034μs三菱QD75D1。
程序存储器容量:112 KB。
支持USB和RS232。
型CPU加上一套丰富及强大的过程控制指令。
通过多CPU进行高速、机器控制。
通过顺控程序的直线和多CPU间高速通信(周期为0.88ms)的并列处理,实现高速控制。
多CPU间高速通信周期与运动控制同步,因此可实现运算效率大化三菱差动输出定位模块。
此外,新的运动控制CPU在性能上是先前型号的2倍,
确保了高速、的机器控制。
将在运动CPU上使用的轴伺服放大器的到位信号作为触发器,
从可编程控制器CPU向第2轴伺服放大器执行轴启动,
到伺服放大器输出速度指令为止的时间。
这一时间为CPU间数据传输速度的指标三菱差动输出定位模块。用于共负极输入模块(标准型)。输入电压范围:AC100-240V。
输出电压:DC5V。
输出电源:8.5A。
简化程序调试
可使用带执行条件的软元件测试功能,在程序上的任意步,
将软元件值更改为用户值三菱差动输出定位模块。
以往在调试特定回路程序段时,需要追加设定软元件的程序,
而目前通过使用本功能,无需更改程序,即可使特定的回路程序段单独执行动作。
因此,不需要单独为了调试而更改程序,调试操作更简单。
自动备份关键数据
将程序和参数文件自动保存到无需使用备份电池的程序存储器(Flash ROM)中,
以防因忘记更换电池池而导致程序和参数丢失QD75D1。
此外,还可将软元件数据等重要数据备份到标准ROM,
以避免免在长假期间等计划性停机时,
这些数据因电池电量耗尽而丢失三菱QD75D1。
下次打开电源时,备份的数据将自动恢复。
通过软元件扩展,更方便创建程序。
位软元件的M软元件和B软元件多可扩展到60K点,使程序更容易理解。


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