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Q64TCRTBW 三菱Q64TCRTBW
品牌: 三菱
名称: 铂电阻型温度调节模块
型号: Q64TCRTBW
输入:4通道。
铂电阻(Pt100;JPt100)。
加热器断线检测功能。
采样周期:0.5s/4通道。
18点端子台x2。
尖峰电流功能。
可防止同时打开输出以控制尖峰电流,有助于节能及降低运行成本。
同时升温功能。
使多个回路同时达到设置值,以进行均匀的温度控制,
有助于防止空载并有效节能及降低运行成本。
自动调整功能。
可在控制过程中自动调节PID常数。
可降低自动调整成本(时间、材料和电能)。
可灵活进行各种设置,实现佳温度控制的温度调节模块。
针对挤压成型机等温度控制稳定性要求高的设备,
温度调节模块具有防过热和防过冷的功能。
可根据控制对象设备,选择标准控制(加热或冷却)或加热冷却控制(加热和冷却)模式。
此外,也可选择混合控制模式(结合了标准控制和加热-冷却控制)。

紧凑型闪存卡。
容量:2GB字节。输入输出点数:4096点。
输入输出元件数:8192点。
程序容量:26 k步。
处理速度:79ns。
程序存储器容量:144 KB三菱Q64TCRTBW。
内置RS232通信口。
支持安装记忆卡。
仅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的内置软元件存储器容量增加到多60K字Q64TCRTBW
对增大的控制、质量管理数据也可高速处理。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取,
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡,
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器,
容量多可达4736K字,从而简化了编程三菱Q64TCRTBW。
因此,即使软元件存储器空间不足,
也可通过安装扩展SRAM卡,方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位,从而使编程也可越了传统的32K字,
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域三菱Q64TCRTBW。
另外,变址修饰的处理速度对结构化数据(阵列)的运算起着重要作用,
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序(例如从FOR到NEXT的指令等)中时,可缩短扫描时间。SRAM存储器卡;容量:8M字节。
带保护罩的记忆卡。
支持SD存储卡。
高速通用型QCPU支持SD存储卡,
从而能够与有SD存储卡插口的PC之间轻松地实现数据交换三菱铂电阻型温度调节模块。
另外、可同时使用SD存储卡和扩展SRAM卡。
因此,可利用扩展SRAM卡扩展文件寄存器,
可利用SD存储卡同时进行数据文件记录、大量注释数据保存、通过存储卡进行引导运行。
只需插入SD存储卡,即可自动记录。
只需在CPU中插入保存了记录设定文件的SD存储卡,即可自动开始记录三菱铂电阻型温度调节模块。
即使在需要进行远程数据收集时,
通过邮件接收记录设定文件并将其到SD存储卡中后,
即可立即开始记录。
更好的用户体验数据记录功能。
记录方便,无需程序。
只需通过专门的配置工具向导轻松完成设置,
便可将收集的数据以CSV格式保存到SD存储卡三菱铂电阻型温度调节模块。
可有效利用已保存的CSV文件方便地创建各种参考资料,
包括日常报告、生成报表及一般报告。
这些资料可应用于启动时的数据分析、追溯等。
毫无遗漏地记录控制数据的变动
可在每次顺序扫描期间或者在毫秒时间间隔内收集数据,
毫无遗漏地记录的控制数据的变动。
因此,在发生故障时,可快速确定原因,进行的动作分析。输入输出点数:4096点。
输入输出元件数:8192点。
程序容量:200 k步。
处理速度:0.0095 μs。
程序存储器容量:800 KB。
支持USB和网络。
支持安装记忆卡。
多CPU之间提供高速通信。
缩短了固定扫描中断时间,装置化。
固定周期中断程序的小间隔缩减至100μs。
可准确获取高速信号,为装置的更加化作出贡献。

通过多CPU进行高速、机器控制Q64TCRTBW。
通过顺控程序的直线和多CPU间高速通通信(周期为0.88ms)的并列处理,实现高速控制三菱Q64TCRTBW。
多CPU间高速通信周期与运动控制同步,因此可实现运算效率大化。
此外,新的运动控制CPU在性能上是先前型号的2倍,
确保了高速、的机器控制。


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