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欧姆龙C200H-MR431 CMOS-RAM内存卡欧姆龙C200H-MR431
品牌: 欧姆龙
名称: CMOS-RAM内存卡
型号: C200H-MR431
cmos-ram单元:内置备用电池。
UM:3K字;
DM:1K字。
CPU有一个安装存储器盒的舱。
存储器盒作为RAM和CPU内置RAM共同工作。
可选用EEPROM和EPROM存储器盒。
要将程序写入EPROM,请使用标准PROM写入器。
在EPROM存储器盒装入CPU之前,先将EPROM连接至EPROM存储器盒内。
若将EPROM存储器盒从CPU上拆下,不会丢失它的数据。

UM:3K字;
DM:1K字。
要将程序写入EPROM,请使用标准PROM写入器。
在EPROM存储器盒装入CPU之前,先将EPROM连接至EPROM存储器盒内欧姆龙C200H-MR431。
若将EPROM存储器盒从CPU上拆下,不会丢失它的数据。
CPU有一个安装存储器盒的舱。
存储器盒作为RAM和CPU内置RAM共同工作C200H-MR431
可选用EEPROM和EPROM存储器盒。输出点数:12点、漏型。
额定电压:DC24V。
大负载电流:0.3A。
外部接线:拆卸端子块。
SYSBUS远程I/O从站机架:可以。
占用单元数:1CH欧姆龙C200H-MR431。
国际标准:U、C、N、L、CE。
新改进的特殊I/O单元使得PC应用更为容易。
新增加了运动控制单元、双轴高速计数器单元、8点模拟量I/O单元,
4点模拟量I/O混合单元。
安装在CPU上特殊I/O单元数目已从多10个增加到16个,
它更充分利用了C200HX/HG PC的功能,
正确组合特殊I/O单元可以容易地对被控制系统进行管理欧姆龙C200H-MR431。
可实现智能I/O读写指令。
只执行1条指令即可以传送多个字的数据与C200HS兼容的全部特殊I/O单元都可以照常使用。
SYSMAC C200HX/HG/HE系列逐渐成为受用户的喜爱的强有力的PC。I/O插槽数:3槽,I/O模块安装在扩展底板上欧姆龙CMOS-RAM内存卡。
除了CPU中内置的标准上位机链接端口外,
在CPU上还可安装一块有6种类型可供选择的通信板,
这些任选通信板为SYSMAC LINK或SYSMAC NET单元的连接,
为了与调制解调器/可编程终端、条形码读入器、温度控制器
或任何一种带RS-232C/RS-422设备的通信提供了简捷的途径欧姆龙CMOS-RAM内存卡。
过去,PC连接一个测量设备或元器件必须要给ASCII单元或BASIC单元编写一个通信程序。
而今,C200HX/HG/HE PC装上通信协议宏功能,
能将这些通信程序通过PMCR指令配置到梯形图程序中,
用这个功能系统可以方便地与各种各样的元器件相连欧姆龙CMOS-RAM内存卡。
点数:4点。
信号范围选择:4点通用。
信号范围:热电偶K、J。
转换速度:4.8s以下(4点/单元设定时)。
外部连接:可拆卸端子块。
温度传感器单元多可变换从4个热电偶或铂热电阻传来的温度信号为4位BCD码,直接输入PC。
冷端补偿回路(对热电偶)由C200H-TS001/TS002的端子B4和B5提供,
其精度连同该单元一起调整。回路数:2回路。
测定值输入:电压输入/电流输入(4~20mA、 1~5V、 0~5V、 0~10V)。
控制输出:电流输出(线性)。
在的输入范围4-20mA或1-5mV内可进行两路PID控制,
并可进行晶体管、电压或电流的输出控制。
梯形图可控制内存中设定单元的分配字,
来进行开/停操作,设定目标值,读取过程值或进行其他操作。
支持两个回路的PIDD(两点自由设定)控制或开关控制C200H-MR431。
直接输入模拟量信号。
集电极开路,电电压、电流输出欧姆龙C200H-MR431。
采样周期:100ms。
运行/开始控制。
支持手动输出。
每个回路可设定两个报警器。
可记录设定值、报警值和PID参数等8个值。
可设置数字滤波器以消除输入的快速改变。
连接数据设定器。


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