紧凑型闪存卡。
容量：2GB字节。输入输出点数：1024点。
输入输出元件数：8192点。
程序容量：15 K步。
处理速度：0.06 μs。
程序存储器容量：60 KBQ312DB。
支持USB和RS232。
不能安装记忆卡。
超高速处理，生产时间缩短，更好的性能。
随着应用程序变得更大更复杂，缩短系统运行周期时间是非常必要的Q312DB
通过超高的基本运算处理速度1.9ns，可缩短运行周期Q312DB。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外，
还可通过减少总扫描时间，提高系统性能，
防止任何可能出现的性能偏差。
高速、高精度数据处理。
实数(浮点)运算的处理速度实现了大幅度提高，
加法指令达到了0.014μs，
因此可支持要求高速、高精度的加工数据等的运算处理。
此外，还新增加了双精度浮点运算指令，
简化了编程，降低了执行复杂算式时的运算误差Q312DB。手动肪冲发生器/INC同步编码器输入：
可使用台数：3台/1个模块。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量最多可达4736K字，从而简化了编程三菱q系列plc输出模块。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可超越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的高效运算起着重要作用，
该速度现已得到提高三菱q系列plc输出模块。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量：256KB三菱q系列plc输出模块。
E2PROM容量：256KB。输入输出点数：4096点。
输入输出元件数：8192点。
程序容量：500 k步。
处理速度：0.0095 μs。
程序存储器容量：2000 KB。
支持USB和网络。
支持安装记忆卡。
多CPU之间提供高速通信。
缩短了固定扫描中断时间，装置高精度化。
固定周期中断程序的最小间隔缩减至100μs。
可准确获取高速信号，为装置的更加高精度化作出贡献。
通过多CPU进行高速、高精度机器控制。
通过顺控程序的直线和多CPU间高速通信（周期为0.88ms）的并列处理，实现高速控制。
多CPU间高速通信周期与运动控制同步，因此可实现运算效率最大化。
此外，最新的运动控制CPU在性能上是先前型号的2倍，
确保了高速、高精度的机器控制。输入点数：16点。
输入电压及电流：DC5/12V　1.2mA(DC5V)/3.3mA(DC12V)。
应答时间：1/5/10/20/70ms。
16点/1个公共端。
正/负极公端共用。
18点端子台。
通过以太网轻松连接编程工具。
编程工具（GX Works2、GX Developer）和CPU直接连接（ 1对1）时，
无需进行IP地址设置。而且无需选择电缆，直通线和交叉线均可使用。
因此，这种连接方法和使用USB一样，可轻松与CPU进行通信，
即使是不熟悉网络设置的操作人员也能轻松建立连接。
具有卓越性能的各种模块,
满足从模拟量到定位的各种控制需求。
Q系列模块产品包括种类丰富的各种I/O、模拟量和定位功能模块。
可全面地满足开关、传感器等的输入输出，温度、重量、流量和电机、驱动器的控制，
以及要求高精度控制的定位等各行业、各领域的控制需求。
还可与CPU模块块组合使用，实现现恰如其分的控制三菱Q312DB。
不断超越，勇攀Q系列巅峰。
强化安全功能。
可设定最长32字符的文文文件密码Q312DB。
除了英文字母、数字以外，还可使用特殊字符，
进一步增强了密码的安全性。
此外，仅允许预先注册过的设备访问CPU，
从而拦截了非授权用户的非法访问。
因此可防止重要程序资产的流出，保护知识产权。
Q312DB操作手册/说明书/选型样本下载地址: /searchDownload.html?Search=Q312DB&select=5