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QD51-R24手册三菱模块 QD51-R24调试和编译编程手册
产品型号: QD51-R24
名称: 模块
品牌: 三菱
类别: 调试和编译编程手册
文件语言: 英文
输入输出点数:1024点。
输入输出数据设备点数:8192点。
程序容量:60k。
基本命令处理速度(LD命令):0.075μS。
PLC在程序执行阶段:按用户程序指令存放的先后顺序扫描执行每条指令,
经相应的运算和处理后,其结果再写入输出状态寄存器中,
输出状态寄存器中所有的内容随着程序的执行而改变三菱模块 编程手册QD51-R24
输出刷新阶段:当所有指令执行完毕,
输出状态寄存器的通断状态在输出刷新阶段送至输出锁存器中,
并通过一定的方式(继电器、晶体管或晶间管)输出,驱动相应输出设备工作。输入输出点数:4096点。
输入输出元件数:8192点三菱模块 编程手册。
程序容量:26 k步。
处理速度:79ns。
程序存储器容量:144 KB。
内置RS232通信口。
支持安装记忆卡。
仅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的内置软元件存储器容量增加到最多60K字。
对增大的控制、质量管理数据也可高速处理。
方便处理大容量数据三菱模块 编程手册。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取,
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡,
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器,
容量最多可达4736K字,从而简化了编程。
因此,即使软元件存储器空间不足,
也可通过安装扩展SRAM卡,方便地扩展文件寄存器区域QD51-R24编程手册。
变址寄存器扩展到了32位,从而使编程也可超越了传统的32K字,
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外,变址修饰的处理速度对结构化数据(阵列)的高效运算起着重要作用,
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序(例如从FOR到NEXT的指令等)中时,可缩短扫描时间QD51-R24编程手册。用于16点I/O。0.3至1.5mm2(AWG22至16)。SRAM存储卡。
RAM容量:512KB。电缆长3.0米。
用于连接扩展基板。输入:4通道。
铂电阻(Pt100;JPt100;Ni100)QD51-R24编程手册。
转换速度:40ms/1通道。
18点端台。
通道之间隔离。
铂热电阻(Pt100、JPt100)。
镍热电阻(Ni100)。
脱落检测功能。
转换速度:320ms/8通道。
通道间隔离。
40针连接器。
最适合用于过程控制的隔离模拟量模块。
可通过连接热电偶/热电阻来收集温度数据。
产品可选择多通道( 8通道)输入型和通道隔离型。
客户可根据预期用途选择最适合的型号。
缩短系统停机复原时间。
只需简单的操作,即可将CPU内的所有数据备份到存储卡中。
通过定期备份,可始终将最新的参数、程序等保存到存储卡。
在万一发生CPU故障时,在更换CPU后,可通过简单的操作,
通过事前备份了数据的存储卡进行系统复原。
因此,无需花费时间管理备份数据,也可缩短系统停机时的复原时间。
自动备份关键数据

将程序和参数文件自动保存到无需使用备份电池的程序存储器(Flash ROM)中中,
以防因忘记更换电池而导致程序和参数丢失三菱模块 编程手册QD51-R24手册。
此外,还可将软元件数据等重要数据备份到标准ROM,
以避免在长假期间等计划性停机时,
这些数据因电池电量耗尽而丢失。
下次打开电源时,备份的数据将自动恢复。
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