更换用电池。
初始电压3.0V。
大容量电池带底座。
电流容量：5000mAh。
使用寿命：5年。I/O槽用的空盖板。连接读写2ch。
ID系统接口模块。
ID控制器BIS M-688-001/002是可直接安装到Q系列的基板上，
通过可编程控制器指令读写ID标签数据的控制模块。
BIS M-688-002的梯形图与QD35ID1/2兼容QJ71GP21-SX
可连接2个天线，还可同时进行2通道的并行处理。
可使用BIS M系列的所有ID标签。
巴鲁夫ID系统/BIS系列是可利用电磁结合方式读写数据的工业自动化ID系统。
ID标签具有多种尺寸和存储容量。2轴，差分驱动器输出型。
2轴直线插补。
2轴弧线插补。
控制单位：mm、英寸、度、脉冲。
定位数据数：600个数据/轴。
最大脉冲输出：1Mpps。
40针连接器。
定位模块。
开路集电极输出型。
差分驱动器输出型。
也可满足高速、高精度控制需求。
最适合用于要求高速转换控制领域的模拟量模块。
可提供多种模数和数模转换模块产品。
这些模块功能多样，在连接设备时，实现了最大的灵活性。
可满足变频器控制等高速转换需求。
具有卓越性能的各种模块,
满足从模拟量到定位的各种控制需求。
Q系列模块产品包括种类丰富的各种I/O、模拟量和定位功能模块。
可全面地满足开关、传感器等的输入输出，温度、重量、流量和电机、驱动器的控制，
以及要求高精度控制的定位等各行业、各领域的控制需求。
还可与CPU模块组合使用，实现恰如其分的控制。
以智能功能拓展控制的可能性。
提供各种模拟量模块，是应用于过程控制应用的理想选择。
根据用途分为开路集电极输出型和差分驱动器输出型 2 种类型。
差分驱动器输出型定位模块可将高速指令脉冲 ( 最高 4Mpps) 可靠地传输至伺服放大器，
传输距离可达 10 米，实现高速高精度的控制。
（开路集电极型定位模块的指令脉冲最高为200kpps。）分辨率262144PLS/res。
允许转速3600r/min。
轴的允许载荷：径向最大为19.6N，轴向最大为9.8N。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量最多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可超越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的高效运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。