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Q35BL选型样本三菱Q35BL选型资料选型手册
产品型号: Q35BL
名称: 大型主基板
品牌: 三菱
类别: 选型资料选型手册
文件语言: 中文
输入输出点数:4096点。
输入输出软元件点数:8192点。
程序容量:260K步。
基本运处理速度(LD指令):1.9ns。
程序内存容量:1040KB。
外围设备连接端口:USB、以太网(通信协义支持功能)。
存储卡I/F:SD存储卡、扩展SRAM卡。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取,
在编程时需要考虑各区域的边界Q35BL
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡,
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器,
容量最多可达4736K字,从而简化了编程。
因此,即使软元件存储器空间不足,
也可通过安装扩展SRAM卡,方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位,从而使编程也可超越了传统的32K字,
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外,变址修饰的处理速度对结构化数据(阵列)的高效运算起着重要作用,
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序(例如从FOR到NEXT的指令等)中时,可缩短扫描时间。
支持USB和RS232。

支持安装记忆卡。

多CPU之间提供高速通信。
缩短了固定扫描中断时间,装置高精度化。
固定周期中断程序的最小间隔缩减至100μs。
可准确获取高速信号,为装置的更加高精度化作出贡献。
通过多CPU进行高速、高精度机器控制。
通过顺控程序的直线和多CPU间高速通信(周期为0.88ms)的并列处理,实现高速控制。
多CPU间高速通信周期与运动控制同步,因此可实现运算效率最大化。
此外,最新的运动控制CPU在性能上是先前型号的2倍,
确保了高速、高精度的机器控制。SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量:128KB。
E2PROM容量:128KB。8通道。
输入:DC-10~10mA;0~20mA。
输出(分辨率):0~4000;-4000~4000;0~12000;-12000~12000;0~16000;-16000~16000。
转换速度:10ms/通道。
40针连接器。
通道之间隔离。
以智能功能拓展控制的可能性。
通道隔离型模拟量模块在实现高隔离电压的同时,
进一步提高了基准精度。
为使用通用可编程控制器进行过程控制提供支持。
流量计、压力表、其它传感器等可直接连连接至模拟量输入,
控制阀也可直接连接至模拟量输出。
由于不需要外部隔离放大器,硬件和安装成本得以大大幅降低。
高绝缘强度耐压 。
可隔离电气干扰,例如电流和噪音等。
标准型模拟量输入模块。
隔离型模拟量输入模块。
无需外部隔离放大器。
不使用通道间隔离型模拟量模块时。
使用了通道间隔离型模拟量模块时。
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